Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
Transistor IGBT Lista de elementos
(IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate) )
Siemens Semiconductor Group
(600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode )
Fairchild Semiconductor
(600V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode )
Fairchild Semiconductor
(Fast IGBT NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode )
Infineon Technologies
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